長(zhǎng)期從事集成電路、LED 和微傳感器封裝及可靠性理論和前沿技術(shù)研究，是電子封裝科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的傑出專(zhuān)家。建立了量子力學(xué)-分子動(dòng)力學(xué)、界面斷裂力學(xué)和損傷力學(xué)為基礎(chǔ)的非線(xiàn)性整體-局部設(shè)計(jì)理論體系和設(shè)計(jì)平臺(tái)，提出電-溼/熱-應(yīng)力-化學(xué)等多場(chǎng)耦合下缺陷調(diào)控理論；突破了界面-溼-熱-應(yīng)力耦合調(diào)控關(guān)鍵技術(shù)；發(fā)明了系列先進(jìn)封裝技術(shù)，解決高密度晶片封裝中翹曲、開(kāi)裂和壽命短等難題，取得了一系列的原創(chuàng)性研究成果；主持「薄膜生長(zhǎng)缺陷跨時(shí)空尺度原位/實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與調(diào)控實(shí)驗(yàn)裝置」「MEMS傳感器晶片先進(jìn)封裝測(cè)試平臺(tái)」等國(guó)家IC裝備重大專(zhuān)項(xiàng)、國(guó)家重大科研儀器研製項(xiàng)目；發(fā)表SCI論文424篇，合作出版專(zhuān)著6部（英文4部），授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利196件，被 30 多個(gè)國(guó)家的著名學(xué)者（包括 70 餘名國(guó)際學(xué)會(huì)會(huì)士和 10 餘名中國(guó)和美國(guó)院士）廣(guǎng)泛引用；以第一完成人獲國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)、國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、教育部技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，白宮總統(tǒng)教授獎(jiǎng)、NSF青年科學(xué)家獎(jiǎng)、國(guó)際微電子及封裝學(xué)會(huì)(IMAPS)技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、IEEE CPMT傑出技術(shù)成就獎(jiǎng)等多項(xiàng)國(guó)內(nèi)外獎(jiǎng)項(xiàng)。
國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(huà)（863計(jì)劃(huà)）專(zhuān)家，國(guó)家集成電路特色工藝及封測(cè)創(chuàng)新中心首席科學(xué)家，高密度集成電路封裝技術(shù)國(guó)家工程實(shí)驗(yàn)室首席科學(xué)家，電氣和電子工程師協(xié)會(huì)（IEEE）會(huì)士（Fellow），美國(guó)機(jī)械工程師學(xué)會(huì)（ASME）會(huì)士（Fellow）。
